MOSFET Canal N Modelo IRF540N TO220

El IRF540N es un MOSFET creado con técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Lo anterior, sumado a la alta velocidad de conmutación y el diseño, generan un componente extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Características:

•    Polaridad: Canal N
•    Corriente Continua Maxima (Pin Drain Id): 33 A
•    Tensión Drain-Source Vds: 100 V
•    Resistencia de Activación Rds(on): 0.044 ohm
•    Tensión Vgs: ±20 V
•    Tensión Umbral Vgs: 2.0 V
•    Disipación de Potencia Pd: 94 W
•    Temperatura de Trabajo máxima: 175°C
•    Temperatura de Trabajo mínima: -55 °C
•    Encapsulado TO-220 con 3 pines

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