Transistor Multipropósito NPN 2N2222

Transistor Multipropósito NPN BJT 2N2222

S-014_175

Dispositivo diseñado para operar como amplificador y switch de propósito general

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Dispositivo diseñado para operar como amplificador y switch de propósito general

Características:


•    Transistor Bipolar (BJT) NPN
•    IC: 600 mA
•    PD: 625 mW
•    VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
•    fT: 300MHz mínimo
•    Encapsulado: TO-92

: S-014_175
: 118 Artículos
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Datasheet 2N2222

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