Transistor Multipropósito NPN BJT 2N2222
: S-014
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y switch de propósito general
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y switch de propósito general
Características:
• Transistor Bipolar (BJT) NPN
• IC: 600 mA
• PD: 625 mW
• VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
• fT: 300MHz mínimo
• Encapsulado: TO-92
: S-014
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