MOSFET Canal N Modelo IRF740 TO220

El MOSFET IRF740 es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor).

Es un componente construido para manejar potencias altas, que la electrónica de control no sería capaz de manejar.

Posee características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y modulación por ancho de pulso (PWM).

Características:

•    Polaridad: Canal N
•    Corriente Continua Maxima (Pin Drain Id): 10 A
•    Tensión Drain-Source Vds: 400 V
•    Resistencia de Activación Rds(on): 0.55 ohm
•    Tensión Vgs: ±20 V
•    Tensión Umbral Vgs: 2.0 V
•    Disipación de Potencia Pd: 125W
•    Temperatura de Trabajo máxima: 150°C
•    Temperatura de Trabajo mínima: -65°C
•    Encapsulado TO-220 con 3 pines

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