MOSFET Canal N Modelo IRFZ44N

S-022

Nuevo producto

Ideal para aplicaciones de conmutación y modulación por ancho de pulso (PWM)

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Descripción

El MOSFET IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor).

Es un componente construido para manejar potencias altas, que la electrónica de control no sería capaz de manejar.

Posee características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y modulación por ancho de pulso (PWM).

Características:

•    Polaridad: Canal N
•    Corriente Continua Maxima (Pin Drain Id): 49 A
•    Tensión Drain-Source Vds: 55 V
•    Resistencia de Activación Rds(on): 0.0175 ohm
•    Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
•    Tensión Umbral Vgs: 2.1 V
•    Disipación de Potencia Pd: 83 W
•    Temperatura de Trabajo máxima: 175°C
•    Temperatura de Trabajo mínima: -55 °C
•    Encapsulado TO-220 con 3 pines

Accesorios

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